Western Digtal giới thiệu công nghệ BiCS3 mới với 4 bit dữ liệu mỗi cell, sử dụng đến 96 lớp dữ

pegasus3390

Well-Known Member
western_digital_memory_3d_nand_678x452.jpg


Với nhu cầu về khả năng lưu trữ dung lượng lớn và tốc độ cao, bộ nhớ dạng đặc đang nhanh chóng trở thành giải pháp hàng đầu cho việc lưu trữ dữ liệu. Tuy vậy, “dung lượng cao” không phải là yếu tố thường thấy trên các mẫu ổ cứng phổ thông.

Western Digital mới đây đã công bố đột phá mới trong việc gấp đôi mật độ bộ nhớ của các chip NAND 3D. Những con chip hiện tại đang có mật độ 512Gb mỗi con chip với 3 bit dữ liệu mỗi cell nhớ và kiến trúc thế hệ tiếp theo BiCS3 X4 sẽ có dung lượng 768Gb mỗi chip nhớ nhờ việc có đến 4 bit dữ liệu mỗi cell nhớ.

Thêm vào đó, thế hệ mới còn được đưa thêm vào 32 lớp cell nhớ vào chip flash nhờ kiến trúc mới, điều này làm tăng tổng số lớp lên từ 64 thành 96 lớp. Khi đó mỗi một gói chip có thể chứa được đến 1Tb (128GB) dữ liệu đồng thời hứa hẹn tốc độ và độ bền của ổ cứng cũng tăng lên

Các sản phẩm tiêu dùng vẫn còn khá đắt nếu so sánh với các ổ cứng dạng cơ truyền thống và không có vẻ gì sẽ giảm nhanh trong thời gian ngắn. Nhưng Western Digital hứa hẹn rằng sẽ tung ra các bộ nhớ rời mới sử dụng công nghệ BiCS3 X4 vào tháng 8.

 
Bên trên