Samsung giới thiệu loạt công nghệ ổ cứng mới, dung lượng cao hơn, dùng QLC V-NAND mới

pegasus3390

Well-Known Member
Samsung_NGSFF_SSD_02.jpg


Samsung mới đây đã tiếp tục giới thiệu thêm về công nghệ V-NAND mới nhất của hãng. Công ty này đã tiến lên thế hệ thứ 8 của công nghệ V-NAND đồng thời có sẵn những kế hoạch cho 10 thế hệ tiếp theo.

Một trong những thông tin ấn tượng nhất từ Samsung chính là việc hãng chuẩn bị đưa chip nhớ QLC flash vào sản phẩm của mình. Đối với khách hàng thì họ chỉ quan tâm về hiệu năng và độ bền của sản phẩm hơn là công nghệ dùng bên trong, ít nhất là cho đến khi nó vẫn còn đáp ứng được nhu cầu của họ. Samsung nói rằng rằng họ có thể đáp ứng được điều này với những chip flash dùng công nghệ QLC (4 bit trên mỗi cell) V-NAND

Sản phẩm đầu tiên được giới thiệu là ổ cứng 128TB SAS SSD sử dụng công nghệ QLC mới với đến 16 nhân bên trong một gói chip với mỗi nhân chứa đến 1TB bộ nhớ, và có thể đưa vào đến 32 nhân mỗi gói chip trong tương lai. Loại chip QLC có tốc độ chậm hơn chip TLC trên mỗi nhân, nhưng với số lượng truy xuất song song thì tốc độ có thể vượt trội hơn so với những gì chúng ta thường nghĩ. Và mặc dù Samsung không nói chi tiết về các yếu tố khác nhưng hãng nhấn mạnh khá nhiều về khả năng lưu trữ cực lớn của công nghệ mới này.

Chỉ cách đây 2 năm, công ty này đã giới thiệu sản phẩm ổ cứng flash với dung lượng cao hơn cả ổ cứng. 1 năm sau chúng ta có dung lượng 16TB được tăng gấp đôi lên thành 32TB. Và việc nâng lên đến 128TB trong năm nay cho thấy tốc độ mà các công nghệ mới có thể đạt được.

Năm ngoái, Samsung cũng giới thiệu công nghệ đối trọng với Optane của Intel nhưng lại không nói nhiều chi tiết về nó. Nhiều suy đoán cho rằng đó là một dạng tối ưu hóa của bộ nhớ flash dùng chip SLC và đến hôm nay chúng ta đã được chính thức xác nhận. Bộ nhớ Z-SSD được bán ra hôm nay cho một số khách hàng với tên gọi là SZ985, nhưng sản phẩm thế hệ đầu tiên hiện tại có dung lượng 800GB sẽ sớm bị thay thế bởi thế hệ thứ hai. Thế hệ kế tiếp sẽ cho phép đưa thêm một bit vào mỗi cell, tức MLC Z-NAND, và tăng mật độ tổng thể và dung lượng của hệ thống. Tuy nhiên cũng đừng quá hy vọng bởi nó tạm chỉ dành cho các khách hàng chỉ định hơn là người dùng thông thường.

Samsung trong sự kiện lần này cũng cung cấp thêm về dạng bộ nhớ M.3, được giới thiệu lần đầu hồi năm 2016. Các mẫu ổ cứng mới này sẽ rộng hơn 1 chút so với M.2 SSD nhưng có thể sử dụng chung kết nối. Với việc có chiều rộng lớn hơn thì công ty có thể đưa vào 2 gói NAND theo hàng ngang của mạch bộ nhớ nhưng vẫn có đủ không gian để đưa controller lớn và DRAM. Việc thiết kế như vậy sẽ khiến nó rẻ hơn so với các sản phẩm như 960 Pro. Lợi ích lớn nhất chính là việc nó có khả năng tháo lắp mà không cần phải dừng server lại, điều mà bộ nhớ M2 không thể làm được.

Hiện tại Samsung đang có các dòng ổ cứng SSD cao cấp 960 Evo và Pro, và với việc dử dụng các chip NAND TLC với 64 lớp mới hãng sẽ tiếp tục đưa thêm các mẫu ổ cứng mạnh mẽ hơn nữa và được dự đoán sẽ là 970 và 980. Các mẫu ổ cứng này sẽ sớm xuất hiện cuối năm nay với số lượng hạn chế và sẽ tăng lên vào đầu năm 2018.

 

mrtran1201

Active Member
Đỉnh điểm của công nghệ đạt được tuy nhiên thương mại hóa thì còn xa lắm. giá thành sẽ quyết định mức độ phổ biến + thị trường
 
Bên trên