mrchubby
Chuyên viên tin tức
Western Digital vào hôm nay đã công bố việc họ bắt đầu thực hiện sản xuất chip nhớ NAND 3D có mật độ dày đặc nhất hiện nay với 64 lớp chồng lên nhau một và cho phép 3 bit dữ liệu có thể lưu cùng lúc trên mỗi cell nhớ.
Chip nhớ NAND 3D mới nhất này được phát triển dựa trên công nghệ chồng đứng (hay còn được biết đến dưới cái tên 3D). Công nghệ này được Western Digital và đối tác Toshiba của mình đặt tên là BiCs (Bit Cost Scaling). WD đã vừa khởi động sản xuất thử nghiệm những chip nhớ NAND 3D 512 Gigabit đầu tiên dựa trên công nghệ flash NAND 64 lớp.
Và công nghệ chồng đứng sẽ tạo nên một khối chữ nhật đứng cho phép đưa mật độ cell nhớ nhiều hơn lên một diện tích chân đế. Rõ ràng việc xếp chồng các cell nhớ NAND sẽ ưu việt hơn rất nhiều so với công nghệ sản xuất phẳng (2D) trước đây, nó cho phép các nhà sản xuất tiết kiệm được chi phí trên mỗi gigabyte nhớ được sản xuất. Ngoài ra công nghệ này còn đem lại khả năng tăng cường độ tin cậy cho dữ liệu cũng như tốc độ trên những chiếc ổ cứng thể rắn SSD.
NAND 3D cho phép các nhà sản xuất vượt khỏi giới hạn vật lý của bộ nhớ NAND hiện tại với transistor 10nm và khả năng làm thu nhỏ kích cỡ của chúng hơn nữa.
Công nghệ BiCs của WD chồng nhiều lớp 64 cell NAND lên nhau
Những con chip NAND 3D mới nhất đã được sử dụng để tạo ra các SSD kích cỡ nhỏ gọn có dung lượng lên đến 3.3TB. Và đối với SSD kích cỡ 2.5” thông thường, công nghệ này đã giúp tăng khả năng lưu trữ của chúng lên đến 10TB.
Samsung là hãng đầu tiên công bố sản xuất rộng rãi chip nhớ 3D vào năm 2014. Công nghệ của họ được gọi dưới cái tên V-NAND, nguyên thủy vào thời điểm công bố V-NAND chỉ chồng 32 lớp NAND flash. Samsung V-NAND dồn 3 bit vào mỗi cell NAND (được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bộ nhớ với tên TLC – triple level cell) hoặc nhiều bit vào mỗi cell NAND (MLC – multiple level cell). Bởi Samsung sử dụng công nghệ nhớ TLC, do đó chip của họ đã có thể chứa được nhiều dữ liệu như chip của hãng Toshiba với NAND 3D 48 lớp (chứa được 128Gigabits ~ 16GB). Ngoài ra Intel và Micron cũng đã tham gia vào cuộc đua sản xuất NAND 3D.
WD lần đầu tiên giới thiệu công nghệ NAND 3D 64 lớp của mình vào 06/2016. Và việc sản xuất thử nghiệm chip NAND 3D 64 lớp này được diễn ra tại Yokkaichi – một nhà máy sản xuất tại Nhật Bản. Họ cho biết đã lên kế hoạch sản xuất đại trà vào khoảng thời gian nửa năm sau của 2017.
“Sự ra mắt của chip nhớ NAND 3D 64 lớp 512Gb đầu tiên của ngành công nghiệp và một bước tiến quan trọng của công nghệ NAND 3D, tăng gấp đôi mật độ nhớ kể từ khi chúng tôi công bố kiến trúc 64 lớp đầu tiên vào tháng Bảy 2016” – Tiến sỹ Siva Sivaram – Phó giám đốc điều hành mảng công nghệ nhớ của WD tuyên bố.
Chip nhớ NAND 3D mới nhất này được phát triển dựa trên công nghệ chồng đứng (hay còn được biết đến dưới cái tên 3D). Công nghệ này được Western Digital và đối tác Toshiba của mình đặt tên là BiCs (Bit Cost Scaling). WD đã vừa khởi động sản xuất thử nghiệm những chip nhớ NAND 3D 512 Gigabit đầu tiên dựa trên công nghệ flash NAND 64 lớp.
Và công nghệ chồng đứng sẽ tạo nên một khối chữ nhật đứng cho phép đưa mật độ cell nhớ nhiều hơn lên một diện tích chân đế. Rõ ràng việc xếp chồng các cell nhớ NAND sẽ ưu việt hơn rất nhiều so với công nghệ sản xuất phẳng (2D) trước đây, nó cho phép các nhà sản xuất tiết kiệm được chi phí trên mỗi gigabyte nhớ được sản xuất. Ngoài ra công nghệ này còn đem lại khả năng tăng cường độ tin cậy cho dữ liệu cũng như tốc độ trên những chiếc ổ cứng thể rắn SSD.
NAND 3D cho phép các nhà sản xuất vượt khỏi giới hạn vật lý của bộ nhớ NAND hiện tại với transistor 10nm và khả năng làm thu nhỏ kích cỡ của chúng hơn nữa.
Công nghệ BiCs của WD chồng nhiều lớp 64 cell NAND lên nhau
Những con chip NAND 3D mới nhất đã được sử dụng để tạo ra các SSD kích cỡ nhỏ gọn có dung lượng lên đến 3.3TB. Và đối với SSD kích cỡ 2.5” thông thường, công nghệ này đã giúp tăng khả năng lưu trữ của chúng lên đến 10TB.
Samsung là hãng đầu tiên công bố sản xuất rộng rãi chip nhớ 3D vào năm 2014. Công nghệ của họ được gọi dưới cái tên V-NAND, nguyên thủy vào thời điểm công bố V-NAND chỉ chồng 32 lớp NAND flash. Samsung V-NAND dồn 3 bit vào mỗi cell NAND (được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bộ nhớ với tên TLC – triple level cell) hoặc nhiều bit vào mỗi cell NAND (MLC – multiple level cell). Bởi Samsung sử dụng công nghệ nhớ TLC, do đó chip của họ đã có thể chứa được nhiều dữ liệu như chip của hãng Toshiba với NAND 3D 48 lớp (chứa được 128Gigabits ~ 16GB). Ngoài ra Intel và Micron cũng đã tham gia vào cuộc đua sản xuất NAND 3D.
WD lần đầu tiên giới thiệu công nghệ NAND 3D 64 lớp của mình vào 06/2016. Và việc sản xuất thử nghiệm chip NAND 3D 64 lớp này được diễn ra tại Yokkaichi – một nhà máy sản xuất tại Nhật Bản. Họ cho biết đã lên kế hoạch sản xuất đại trà vào khoảng thời gian nửa năm sau của 2017.
“Sự ra mắt của chip nhớ NAND 3D 64 lớp 512Gb đầu tiên của ngành công nghiệp và một bước tiến quan trọng của công nghệ NAND 3D, tăng gấp đôi mật độ nhớ kể từ khi chúng tôi công bố kiến trúc 64 lớp đầu tiên vào tháng Bảy 2016” – Tiến sỹ Siva Sivaram – Phó giám đốc điều hành mảng công nghệ nhớ của WD tuyên bố.
Theo PCWorld
